FDS2570销售

FDS2572
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FDS2572技术资料：MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC

产品培训模块： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： MoldCompound12/Dec/2007
标准包装：2,500
系列：UltraFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：47毫欧@4.9A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：38nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2050pF@25V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN